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Product Info: |
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| Mouser Part No: | 511-SCTWA90N65G2V-4 | 511-SCT018W65G3-4AG | |||||||||||||||||||||||||||
| Mfr.'s Part No: | SCTWA90N65G2V-4 | SCT018W65G3-4AG | |||||||||||||||||||||||||||
| Manufacturer: | STMicroelectronics | STMicroelectronics | |||||||||||||||||||||||||||
| Description: | SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package | SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package | |||||||||||||||||||||||||||
| Lifecycle: | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
| Datasheet: | SCTWA90N65G2V-4 Datasheet (PDF) | SCT018W65G3-4AG Datasheet (PDF) | |||||||||||||||||||||||||||
| RoHS: | |||||||||||||||||||||||||||||
Specifications |
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| Brand: | STMicroelectronics | STMicroelectronics | |||||||||||||||||||||||||||
| Channel Mode: | Enhancement | Enhancement | |||||||||||||||||||||||||||
| Configuration: | Single | Single | |||||||||||||||||||||||||||
| Country of Assembly: | Not Available | Not Available | |||||||||||||||||||||||||||
| Country of Diffusion: | Not Available | Not Available | |||||||||||||||||||||||||||
| Country of Origin: | CN | CN | |||||||||||||||||||||||||||
| Fall Time: | 16 ns | 29 ns | |||||||||||||||||||||||||||
| Id - Continuous Drain Current: | 119 A | 55 A | |||||||||||||||||||||||||||
| Maximum Operating Temperature: | + 200 C | + 200 C | |||||||||||||||||||||||||||
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | - 55 C | |||||||||||||||||||||||||||
| Mounting Style: | Through Hole | Through Hole | |||||||||||||||||||||||||||
| Number of Channels: | 1 Channel | 1 Channel | |||||||||||||||||||||||||||
| Package/Case: | HiP-247-4 | HiP-247-4 | |||||||||||||||||||||||||||
| Packaging: | Tube | Tube | |||||||||||||||||||||||||||
| Pd - Power Dissipation: | 565 W | 398 W | |||||||||||||||||||||||||||
| Product Type: | SiC MOSFETS | SiC MOSFETS | |||||||||||||||||||||||||||
| Qg - Gate Charge: | 157 nC | 77 nC | |||||||||||||||||||||||||||
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 24 mOhms | 27 mOhms | |||||||||||||||||||||||||||
| Rise Time: | 38 ns | 13 ns | |||||||||||||||||||||||||||
| Standard Pack Qty: | 600 | 600 | |||||||||||||||||||||||||||
| Subcategory: | Transistors | Transistors | |||||||||||||||||||||||||||
| Technology: | SiC | SiC | |||||||||||||||||||||||||||
| Transistor Polarity: | N-Channel | N-Channel | |||||||||||||||||||||||||||
| Typical Turn-Off Delay Time: | 58 ns | 64 ns | |||||||||||||||||||||||||||
| Typical Turn-On Delay Time: | 26 ns | 24.5 ns | |||||||||||||||||||||||||||
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V | 650 V | |||||||||||||||||||||||||||
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 10 V, + 22 V | - 18 V, + 18 V | |||||||||||||||||||||||||||
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V | 4.2 V | |||||||||||||||||||||||||||
| Qualification: | - | AEC-Q101 | |||||||||||||||||||||||||||
Ordering Information |
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| Stock: | 101 Can Dispatch Immediately | 532 Can Dispatch Immediately | |||||||||||||||||||||||||||
| Factory Lead Time: | 22 Weeks Estimated factory production time for quantities greater than shown. | 22 Weeks Estimated factory production time for quantities greater than shown. | |||||||||||||||||||||||||||
| Buy: |
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| Pricing: |
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